Вот что я знаю о NPN BJT (биполярных переходных транзисторах): Ток базы-эмиттера увеличивается в HFE раз на коллекторе-эмиттере, так что Ice = Ibe * HFE Vbeэто напряжение между Base-Emitter и, как и любой диод, обычно составляет около 0,65 В. Я не помню о Vec, хотя. Если Vbeон ниже минимального...