Вот что я знаю о NPN BJT (биполярных переходных транзисторах): Ток базы-эмиттера увеличивается в HFE раз на коллекторе-эмиттере, так что Ice = Ibe * HFE Vbeэто напряжение между Base-Emitter и, как и любой диод, обычно составляет около 0,65 В. Я не помню о Vec, хотя. Если Vbeон ниже минимального...
14
Как работают транзисторы BJT в насыщенном состоянии?
transistors
bjt
physics
saturation
camera
detection
arduino
power
electromagnetism
inductive
design
digital-logic
vhdl
led
spectrum-analyzer
soldering
dc-motor
glue
voltage
diodes
high-voltage
rectifier
dsp
arduino
microcontroller
digital-logic
mbed
fpga
xilinx
vhdl
spartan
pcb-design
esd
integrated-circuit
function-generator
stepper-motor
ratings
capacitor
resistors
surface-mount
dsp
power-supply
resistance
inductive
arm
compiler
keil
linux
simulation
communication
filter
digital-logic
signal
rectifier
transformer
frequency
generator
counter
verilog
fpga
arduino
serial
computers
audio
fpga
verilog
spartan
legal