Импульсный режим GaN

У кого-нибудь есть опыт смещения и пульсации микроволнового GaN HEMT? Я только что заказал 10-ваттный транзистор S-диапазона. Я знаю все о последовательности смещения. Это приложение является импульсным. Я читал о пульсации стока с помощью выключателя на стороне высокого уровня, а также о пульсации путем защемления затвора (Microsemi, Triquint и т. Д. Технические документы и защита PhD).

Кто-нибудь пробовал оба подхода. В порядке важности: (1) время нарастания / спада, (2) эффективность. Я обеспокоен недокументированными эффектами не только последовательного сопротивления с пульсацией стока.

Я хотел бы получить опыт реального мира.

mosfet amplifier mosfet-driver microwave johnnymopo
источник

Я помогаю поддерживать микроволновый генератор немецкого производства. Полевой транзистор драйвера является типом режима истощения, и отрицательное смещение приводится в действие от преобразователя вольт-амперного преобразователя от той же шины. Spookey можно заблокировать вещь, если блок питания не делает около вдвое больше конт. рейтинг. Не делай то, что они сделали

Аутист

Моим дипломным проектом был проект смесителя с гармонической накачкой на MMIC (процесс GaN HEMT). Существует метод, называемый жестким переключением. И сток, и затвор пульсируют в функции синхронизации. Это делает переключение намного быстрее, но идет с гармониками. Некоторые поставщики предоставляют информацию о жестком переключении, но это зависит от многих вещей в среде. Вы должны позаботиться о многих вещах во временной области (выходное сопротивление, паразитные, Cgs (Vin), токи интермодуляции (f) и т. Д.).

Alper91

Кроме этого, о недокументированных эффектах, вы можете сделать это меньше. Таким образом, мой преподаватель работает с одними и теми же транзисторами более 5 лет. Потому что они боятся сменить другого. (В академическом бизнесе, конечно). Но если это поможет, я знаю, что пульс утечки может создавать неприятные гармоники для определенных классов смещения. В микроволновой печи ничто не может быть смоделировано с помощью простых аналоговых эквивалентных схем.

Alper91

Я сделал PA, используя LDMOS blf2043f ptfa080551e (класс AB) и старый советский kt919 (класс C). Транзисторы Idmos оказались очень чувствительными к ESD на стороне затвора (таким образом уничтожили пару). С другой стороны, сток был очень прочным и выдерживал огромное несоответствие импеданса. Можете добавить больше опыта реального мира, если хотите.

Иван

Ответы:

Переключение дренажа несколько сложное, поскольку необходимо убедиться, что условия смещения стабильны перед подачей сигнала и подачей сигнала на затвор. Я предполагаю, что вы знакомы с кругами стабильности и т. П. И выполнили необходимый анализ для желаемых условий эксплуатации. Имейте в виду, что S-параметр большого сигнала в установившемся режиме может значительно отличаться от S-параметров вашего импульсного большого сигнала (не простое измерение, кстати), что может сделать недействительным ваш первоначальный анализ стабильности, но если это все, что у вас есть, это разумная отправная точка. На толчке даже S-параметры слабого сигнала лучше, чем ничего. Устройства GaN страдают больше, чем GaAs от внутренних эффектов нагрева, из-за их меньшей геометрии и более высоких плотностей энергии - меньше области задней поверхности чипа для отвода тепла.

Очевидно, что при переключении стока требуется определенное время, необходимое для стабилизации смещения - это зависит от устройства, коэффициента заполнения и мощности.

Если ваше приложение позволяет, использование классов B или C - это самый простой способ, который устраняет необходимость переключения стока, но вы будете генерировать больше гармоник, что является проблемой, если у вас нет настроенной нагрузки. Также помните, что фильтры обычно отражают внеполосную мощность, которая может расстроить ваше устройство.

Всегда гарантируйте, что ваше устройство защищено от работы в разомкнутой цепи - один из способов - использовать изолятор на выходе - многие силовые устройства были разрушены таким образом.

Не ждите , чтобы быть в состоянии полностью имитировать поведение этих устройств - вы будете экспериментировать - и вы будете терять несколько устройств по пути! Удачи!

НГ рядом
источник