Основное разделение - между BJT и FET, при этом большая разница в том, что первые управляются током, а вторые - напряжением.
Если вы создаете небольшие объемы чего-либо и не очень хорошо знакомы с различными вариантами выбора и тем, как вы можете использовать характеристики для получения преимущества, вероятно, проще придерживаться MOSFET. Они имеют тенденцию быть более дорогими, чем эквивалентные BJT, но концептуально легче работать для начинающих. Если вы получаете «логический уровень» MOSFETS, то становится особенно просто управлять ими. Вы можете управлять N-канальным переключателем на стороне низкого уровня непосредственно с вывода микроконтроллера. IRLML2502 - отличный маленький FET для этого, если вы не превышаете 20V.
Как только вы познакомитесь с простыми полевыми транзисторами, стоит привыкнуть и к тому, как работают биполяры. Будучи разными, они имеют свои преимущества и недостатки. Необходимость управлять ими с помощью тока может показаться хлопотной, но также может быть преимуществом. Они в основном выглядят как диод через переход BE, поэтому напряжение никогда не бывает слишком высоким. Это означает, что вы можете переключаться на 100 с или более от логических цепей низкого напряжения. Поскольку напряжение BE фиксируется в первом приближении, оно учитывает топологии, такие как следы эмиттера. Вы можете использовать FET в конфигурации следящего за исходным кодом, но обычно характеристики не так хороши.
Другое важное отличие заключается в полном поведении переключения. BJT выглядят как источник фиксированного напряжения, обычно 200 мВ или около того, при полном насыщении вплоть до вольт в случаях сильного тока. МОП-транзисторы больше похожи на низкое сопротивление. В большинстве случаев это позволяет снизить напряжение на коммутаторе, что является одной из причин, по которым вы часто видите FET в приложениях с переключением питания. Тем не менее, при больших токах фиксированное напряжение BJT ниже, чем текущее значение Rdson FET. Это особенно верно, когда транзистор должен быть в состоянии выдерживать высокие напряжения. BJT, как правило, имеют лучшие характеристики при высоких напряжениях, следовательно, существуют IGBT. IGBT - это действительно FET, используемый для включения BJT, который затем выполняет тяжелую работу.
Есть еще много вещей, которые можно сказать. Я перечислил только несколько, чтобы начать работу. Реальным ответом была бы целая книга, на которую у меня нет времени.
