Зачем тянуть базу переключателя BJT?

23

Я часто замечаю использование тягового резистора для базы биполярного транзистора, например, здесь:R2

введите описание изображения здесь

Почему это используется? Я понимаю тяговые резисторы для полевых транзисторов, потому что из-за высокого импеданса затвора EMI может легко его переключить. Но BJT нужен ток базы, чтобы открыться, и, я думаю, EMI имеет слишком высокий внутренний импеданс, чтобы дать достаточно тока.

Безопасно ли оставлять плавающую базу в выключателе BJT?


источник
2
Ненужные транзисторы и полевые резисторы? также охватывает это.
Фил Фрост

Ответы:

22

Очень короткий ответ: R2 помогает быстро выключить BJT .

Немного дольше: когда ток перестает подаваться через R1, все, что нужно, чтобы остановить смещение основания, - это ток, протекающий через само основание. Это работает для медленных цепей. Для быстрого выключения R2 помогает вывести заряд из базы. Обратите внимание, что есть паразитная емкость от B до E и хуже, от C до B. Последнее хуже, потому что, пока B понижается, C повышается, и CB-конденсатор проталкивает заряд в B, в то время как вы хотите потерять заряд в B ( Эффект Миллера).

Кроме того, с плавающей B, крошечный ток (интерференция / паразитный путь утечки) может быть достаточно, чтобы включить BJT. R2 помогает предотвратить это.

zebonaut
источник
Стоит отметить, что подобное решение часто используется в транзисторах Дарлингтона.
TNW
@TNW ... как здесь: electronics.stackexchange.com/questions/77520/…
zebonaut
18

В дополнение к тому, что сказал зебонавт, еще одна причина может заключаться в том, что транзистор включается при более высоком напряжении, чем свойственное падение BE. R1 и R2 образуют делитель напряжения. Установив делитель соответствующим образом, вы можете получить более высокий эффективный порог слева от R1 для включения транзистора.

Олин Латроп
источник
Я согласен с Олин. Например, учтите, что на вход подается 12 В. Кто-то может сказать, что Vbe выше 0,7 В и транзистор находится в проводимости. Но это не может быть правдой. Зависит от значений резисторов - например, эквивалентное напряжение Thevenin, равное 0,5 В, препятствует проводимости транзистора. В итоге: переход BE не всегда правильно поляризован, даже при высоком входном напряжении.
Дирсеу Родригес младший
4

Еще одна причина добавления понижающего резистора заключается в том, что многие BJT имеют определенную утечку из коллекторной базы. Если значение R1 велико или штифт, на котором он движется, активно не смещается, то плата за утечку увеличивает напряжение до 0,7 вольт. Если это произойдет, сам транзистор усилит утечку. Если транзистор имеет утечку базы 0,2 мкА и бета-версию 50, то при отсутствии какого-либо понижения уровня базы коллектор в конечном итоге протечет 10 мкА. Добавление опускания к основанию уменьшает эту утечку до 0,2 мкА. В некоторых ситуациях утечка 10 мкА может быть несущественной, но если все остальное в цепи отключено и потребляет всего 5 мкА, утечка транзистора на 10 мкА может утроить потребление энергии.

Supercat
источник