Когда анализируют схемы с транзисторами в них, когда это имеет значение, являются ли они полевыми МОП-транзисторами или BJT?
transistors
analysis
Андрес Риофрио
источник
источник
Ответы:
С точки зрения дизайна, основным и наиболее очевидным отличием является базовый ток: как сказал Рассел, биполярный является управляемым током, что означает, что ток, протекающий в коллектор, будет пропорционален току, протекающему в базе (и эмиттере) выведет сумму для KCL); вместо этого MOSFET имеет очень высокий импеданс затвора, и только подача напряжения выше порога активирует его.
Биполярный транзистор имеет довольно постоянный коэффициент усиления по току, , который дает линейный отклик, в то время как MOS имеет довольно сложный отклик (квадратичный с насыщением Vgs, в зависимости от Vgs и Vds в «линейном»).часFЕ
С другой стороны, его фиксированного усиления может быть недостаточно для использования его в качестве переключателя, когда для включения сильноточной нагрузки используется маломощный вход: в этом случае может помочь конфигурация Дарлингтона (два каскадных BJT), но MOS не имеет этой проблемы, потому что его текущее усиление практически бесконечно (как мы уже говорили, нет тока затвора).
Еще один аспект, который может иметь значение, заключается в том, что MOS, контролируемая зарядом в Гейт, не любит, чтобы он был плавающим (не подключенным): в этом случае он подвержен шуму и приведет к непредсказуемому поведению (возможно, деструктивный). BJT, требующий базового тока, является более устойчивым в этом смысле.
Обычно BJT также имеют более низкий порог (около 0,7 В против 1+ В для MOS), но это очень зависит от устройства и не всегда применяется.
источник
Количественная разница:
Это действительно зависит от типа цепи и уровней напряжения, с которыми вы имеете дело. Но, вообще говоря, транзистор (BJT или FET) является «сложным» компонентом (под комплексом я имею в виду, что это не резистор, конденсатор, индуктор или идеальный источник напряжения / тока), что означает с точки зрения схемы анализа с точки зрения того, что вы должны сначала выбрать правильную модель для транзистора, т.е. схему, состоящую из не «сложных» компонентов, которые представляют поведение транзистора (google для модели Hybrid-pi), чтобы проанализировать его. Теперь, если вы посмотрите на модели BJT и MOSFET, вы сможете их количественно сравнить и понять различия. Выбор правильной модели зависит от различных факторов, а именно:
точность
сложность
если это для малого или большого сигнала
(Просто назвать несколько)
Качественная разница:
Проверьте некоторые сообщения о транзисторах здесь на форуме (например, David Kessner's)
источник
При анализе схемы это будет иметь значение, потому что электрическая эквивалентная модель BJT отличается от FET, потому что, как они говорят до того, как характеристика BJT не похожа на FET.
Как видно из этой картинки
И это связано с огромным входным резистором FET.
Кстати, если мы используем неблагоприятную конфигурацию, входной резистор может стать меньше, чем то, что происходит, когда мы используем общий затвор или общую базу.
источник