Как защитный диод защищает транзистор от пробоя?

Пожалуйста, объясните процесс разбивки; как именно этот защитный диод защищает транзистор?

В книге Горовица и Хилла «Искусство электроники», 2-е издание, в «Главе 2 - Транзисторы» (стр. 68), я прочитал следующее:

2. Всегда помните, что напряжение обратного пробоя базового эмиттера для кремниевых транзисторов невелико, часто всего 6 вольт. Колебания на входе, достаточно большие, чтобы вывести транзистор из проводимости, могут легко привести к выходу из строя (с последующим ухудшением hFE, если не будет добавлен защитный диод (рис. 2.10).

Не могу понять, как этот диод защищает транзистор от пробоя, если ток в этом диоде идет только в одном направлении.

^{смоделировать эту схему - схема, созданная с использованием CircuitLab}

$V_{BE}$$6\rm{V}$ более положительный, чем база, он сломается и начнет проводить.

$h_{FE}$ .

При установке диода, как показано, напряжение обратного смещения ограничено ~$0.7\rm{V}$