Приведет ли чтение данных к износу SSD?

27

Общеизвестно, что чрезмерная запись (включая форматирование, дефрагментацию и т. Д.) Со временем изнашивает твердотельные накопители. Но из-за износа чтения большого количества данных из SSD?

Я планирую включить предварительную выборку на машине Linux с SSD. Я когда-то отключил.

ssd storage Бродить наута
источник
3
Я хотел бы отметить, что, хотя это общеизвестно, большинство людей сильно переоценивают, насколько быстро у них закончатся записи на SSD. Intel специально заявляет, что вы можете записывать более 21 ГБ в день в течение десяти лет подряд, не исчерпывая записи на своих дисках уровня потребителя .
Shinrai
(Кроме того, никогда не дефрагментируйте SSD, так как он на самом деле не будет ничего полезного.)
Shinrai
3
Подумайте о том, чтобы согнуть кусок металла (например, вешалку). Вы можете «записать» в нее информацию (например, прямая = 0, изогнутая = 1), согнув ее, и «прочитать» информацию, посмотрев на нее. Вы можете читать его столько раз, сколько хотите, без (значительного) вреда, но вы можете писать в него столько раз, пока он не сломался.
Synetech
1
@Synetech - у меня сложилось впечатление, что физическое расположение данных на твердотельном накопителе является как A: в значительной степени неактуальным в 99% случаев, так и B: неправильно понимается большинством программ дефрагментации, поскольку они написаны с ожиданием жестких дисков, а также с контроллером на Привод обрабатывает большую часть этих вещей (вещи помещаются в разные места для выравнивания износа и т. д.). Значительно упрощает здесь, конечно.
Shinrai
3
Почти вся информация в этих комментариях устарела.
Дэвид Шварц

Ответы:

30

Не влияет на устройство. Ограниченное время записи Flash является естественным следствием их работы.

Данные на флэш-накопителях безопасны, потому что биты хранятся электронами, заблокированными в очень хорошо изолированном слое. Эти электроны, если они присутствуют, создают электрическое поле, которое может быть захвачено соседним транзистором. Поскольку они заблокированы, считывание транзистора не влияет на электроны. Однако во время записи для прохождения электронов через этот слой Flash требует очень высоких напряжений. Эти высокие напряжения вызывают некоторое повреждение слоя изоляции, который накапливается.

Для сравнения, DRAM не имеет такого слоя изоляции. Электроны движутся довольно легко. В результате, DRAM быстрее и не ломается от записи, но утечка электронов часто требует замены. Выключите питание, и все они исчезнут за миллисекунды.

MSalters
источник
8
Хотя сами чтения не наносят непосредственного вреда, стоит отметить, что чрезмерное чтение может привести к тому, что микропрограммное обеспечение генерирует фоновые записи. Тем не менее, фоновые записи, вероятно, будут незначительными в большинстве случаев. Дополнительная информация: superuser.com/a/725145/6091
грабить
4

Я не верю, что процесс чтения влияет на ячейки NAND, хотя я могу ошибаться (например, посмотрите в конец этой статьи ). Может случиться так, что если «страница» или eraseblock не перепрограммируется в течение очень долгого времени, есть вероятность (вероятно, очень мала), что некоторые биты вернутся в незапрограммированное состояние. Не уверен, что прошивка принимает это во внимание и перезаписывает / переотображает страницы, которые не были прочитаны долгое время.

LawrenceC
источник
Интересный. Есть ли у вас больше информации (кроме этой статьи) об этом поведении?
dtmland
К сожалению, нет, но постараюсь не забыть обновить, если у меня возникнет дополнительная информация.
LawrenceC
2
Стоит отметить, что сами чтения не являются вредными, но чрезмерные чтения могут привести к тому, что микропрограммное обеспечение сгенерирует фоновые записи, чтобы противодействовать ошибкам хранения и ошибкам чтения. @dtmland Посмотрите мой ответ на подобный вопрос, который был вдохновлен ответом ультрасоволовой лезвия superuser.com/a/725145/6091
грабить
3

Надежность раздел этой таблицы не упоминает об этом, поэтому я предполагаю , что читает не влияет на диск.

Барт ван Хейкелом
источник
1
Это также было бы моим предположением, но я хотел бы быть очень уверенным - отключение предварительной выборки бесплатно, новые SSD стоят целое состояние.
Бродить Наута
1

Флэш-память - это просто EEPROM (микросхема, которую можно перепрограммировать. Это - перепрограммирование, которое вызывает износ, чтение неограниченно. Для чтения это просто память. Http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_flash, в этой статье говорится немного о том, как работает перепрограммирование и как оно в основном «записывает» данные в память.

Брайан
источник
1
Flash! == EEPROM
Элвин Вонг
Да, технически это не EEPROM, но это все еще верно в том смысле, что чтение не наносит ущерба.
Shinrai