Я знаю, что этот вопрос звучит глупо, как будто существует разность потенциалов, когда при соединении клемм будет создаваться ток, и это будет означать, что энергия откуда-то пришла. Причина, по которой я спрашиваю об этом, состоит в том, что из моего понимания области истощения и встроенного...
Мне кажется, я более или менее понимаю, как работает обычный полупроводниковый диод: кристаллы легируют по-разному в разных областях, истощение носителей в местах их встречи, бла-бла-бла. Однако фактические диоды, на которых строятся схемы, не заканчиваются битами n-легированного и p-легированного...
Этот вопрос касается усовершенствованных МОП-транзисторов n-типа. Из того, что я понимаю, инверсионный слой формируется под изолирующим слоем под затвором MOSFET, когда на затвор подается напряжение. Когда это напряжение превышает , пороговое напряжение ; этот инверсионный слой позволяет электронам...