Но я считаю это абсолютно неверным. Как BJT-транзистор может работать даже без базы? Разве транзистор без базы не должен быть просто полупроводником (PP, NN)? Существует ли какой-нибудь специальный экспериментальный BJT-транзистор НАСА армейского класса без базы? Так кто же прав, я или...
Я просматривал таблицу данных TI для LM78L05 и заметил эту схему приложения: Обратите внимание, что у Q2 есть коллектор и эмиттер. Не могу сказать, что когда-либо видел это раньше, и поиск ничего не дал. Какую роль будет играть Q2 в этой конфигурации? Я подозреваю, что диод, но не могу понять,...
Я смоделировал эту схему из эталонного проекта, но я не совсем уверен, как она работает или как вы собираетесь разрабатывать такие вещи. При моделировании это выглядит так, как будто оно предназначено для поддержания тока через постоянную D1 на уровне около 5 мА, несмотря на наличие диапазона...
2N3904 и 2N4401 , по всей видимости, очень сопоставимые части во всех спецификациях. 2N4401 имеет более высокий текущий рейтинг, но в остальном они выглядят примерно одинаково по цене и всему остальному. Очевидно, что сложно дать 100% универсальный ответ, так как обе детали изготовлены несколькими...
Я знаю, как мы можем усилить данный сигнал, используя транзисторы BJT, смещая их. Но я хотел бы знать, что это за свойство, которое позволяет BJT-транзистору действовать как усилитель. Это постоянный характер обратного тока насыщения или это определенная связь между базой и током коллектора или...
Как они вообще работают? Я учусь в старших классах и изучаю электронику. Я действительно заинтересован в том, чтобы понять это и заняться электроникой в колледже. Но теперь это похоже на далекий сон с моим слабым пониманием того, «как работают транзисторы» и их «фактического применения в цепях»....
Схема ниже настолько проста, насколько это возможно, но она не ведет себя так, как я ожидал. V3 - это прямоугольная волна 3.3 Вpp, идущая в основание транзистора, поэтому я ожидал бы, что V_Out будет высоким, когда V3 низок, и наоборот. В основном инверсионная схема. Что еще более важно, я ожидал...
Схема ниже должна принимать сигнал 3,3 В от MCU на MCU_LS12 и выводить сигнал 12 В на верхней стороне. Выход всегда 12В. При определении диапазона база к выходному транзистору не достаточно "заземлена" - только на 12 В, затем до 11,5 В. Что мне не хватает? Входной сигнал на LS12 - 3,3 В от MCU,...
Я нахожу в опорных цепях, что когда BJT используется в качестве переключателя, когда он будет использоваться в режиме насыщения, нагрузка всегда находится на коллекторе. Для NPN излучатель подключен к земле, для PNP излучатель подключен к источнику питания следующим образом: Почему нагрузка всегда...
Спецификация MIDI предлагает быстродействующий диод для защиты светодиода оптопары от электростатического разряда, который может превышать его обратное напряжение: Но это единственный используемый диод; Я мог бы упростить спецификацию, если бы мог заменить ее некоторым компонентом, уже...
Хотите улучшить этот пост? Добавить цитаты из авторитетных источников, отредактировав пост . Сообщения с неисключенным контентом могут быть отредактированы или удалены. С помощью BJT мы можем контролировать базовый ток с помощью Vin (из диаграммы). Почему в учебниках утверждается, что BJT...
При смещении BJT напряжения Vbe и Vce всегда присутствуют в расчетах. Напряжение Vbc отсутствует в каком-либо уравнении, потому что один из коллектора, базы и эмиттера заземлен, или по какой-либо другой причине, касающейся теории полупроводников?...
Так что это мой H-мост: Каждый раз, когда я начинаю использовать его в одном направлении, P-канал MOSFET и NPN BJT, принадлежащие используемому направлению, умирают за считанные секунды. У убитого MOSFET и BJT возникает короткое замыкание, поэтому я больше не могу использовать другое направление....
Я использую TIP120 (пара Дарлингтона BJT), доведенная до насыщения для моего проекта. У меня , , и А, что дает мне полное рассеивание мощности:VCE(sat)=1VVCE(sat)=1VV_{CE(sat)}=1VяС= 2 АIC=2AI_C=2AВB E= 2,5 ВVBE=2.5VV_{BE}=2.5VяВ= 0,005IB=0.005I_B=0.005 пDзнак равноВСЕ( Ев т )*яС+ВB E*яВ≈ 2...
Я пытаюсь переключить 12 В (макс. 30 мА) с помощью сигнала от MCU, который я бы предпочел, чтобы активный низкий уровень (таким образом, выходное напряжение составляет 12 В, когда сигнал управления равен 0 В, и 0 В, когда сигнал управления равен 5 В). Поскольку у меня под рукой много биполярных...
Несколько высокопоставленных членов не согласились с этим в контексте других вопросов, поэтому я подумал, что опубликую это как отдельный вопрос. Вопрос: настроен ли NPN BJT в этой цепи как общий эмиттер или общий коллектор? Обратите внимание, что, возможно, необычно, узел S + заземлен, а узел S -...
У меня домашнее задание, с которым мне нужна помощь. Я хотел знать, может ли кто-нибудь сказать мне, правильно ли я делаю вычисления смещения постоянного тока, если нет, может ли кто-то подтолкнуть меня в правильном направлении. Я не говорю об анализе переменного тока, только DC. Вот вопрос вот моя...
В попытке получить прямоугольную волну с амплитудой, управляемой напряжением, я сделал эту небольшую схему: К сожалению, при отрицании он имеет небольшое смещение от -Vin. Я предполагаю, что это потому, что BJT не тянет полностью к земле. Каковы простые способы улучшить симметрию этой цепи? В...
В техническом описании есть такая схема, как удвоить мощность 18F4550 . Однако они не указывают, какой транзистор использовать и какие значения резистора должны быть. Для конденсатора я использую 100 мкФ (сторона диода) и 470 нФ (сторона Vusb). Я пытался вставить все, что у меня дома BJT, но оно не...
В настоящее время я посещаю занятия по аналоговой электронике, и это одна из проблем, которая возникла: V 1 = 15V V 1 = 15V, Ueb = Ube = 0.6V, Uce(sat) = 0.2V, β =200, VT = 25mV, R2 = 39Ω, R4 = 4.7kΩ, R5 = 470Ω Меня просят найти значения R1, R3 и R6 так, чтобы токи покоящегося коллектора Q2 и Q3...