АБ без диодов

Глядя на другой вопрос о стадии усилителя AB, ответом была классическая двухтактная диодная смещенная сценарий, как эта ... за которую я проголосовал, как и другие ...

схематический

^{смоделировать эту схему - схема, созданная с использованием CircuitLab}

Но потом, глядя на это, я не мог на всю жизнь понять, что эти два диода покупают тебе по сравнению с диодами базового эмиттера, которые там есть.

Поэтому я смоделировал эту схему вместо ...

схематический

^{смоделировать эту схему}

Похоже, работает так же хорошо, если не лучше.

Пожалуйста, прости меня, если у меня есть старший момент, но что я здесь забыл?

amplifier biasing Trevor_G
источник

Ответы:

Мощность.

Вторая цепь использует гораздо большую мощность покоя, потому что ~ 40 мкА базового тока в каждом BJT производит ~ 4 мА тока коллектора, сгорая ~ 30 мВт между двумя BJT.

В первом контуре, если диоды выбраны как подходящие для BJT, вы держите BJT очень близко к краю передней активной области, фактически не доставляя их туда (пока они не понадобятся), и используется гораздо меньше энергии покоя.

Еще одним важным моментом является то, что при смещении диода в схеме может использоваться постоянная связь:

Связь по постоянному току удобна, когда она используется в качестве буфера для операционного усилителя, поскольку позволяет буферу находиться в контуре обратной связи для всех частот и предотвращает выход выходного сигнала операционного усилителя на шину.

Фотон
источник

Благодарю. Да, я действительно думал об этом, и отклонил 4 мА как тривиальное, но я полагаю, для виджета с батарейным питанием это было бы более уместно. У меня всегда была проблема с «образцом, который выбирают диоды как хорошее соответствие для BJT» ... Если по какой-то причине диоды немного высоки, вы все равно в конечном итоге получите 2-й контур.

Trevor_G

Еще один момент: диодная схема позволяет подключать вход постоянного тока, как показано на 2-й схеме в связанном вопросе.

Фотон

@Trevor, достаточно правдоподобно для согласования диодов. Я на самом деле использовал эту схему (версия с постоянным током) в недавнем проекте и в итоге потреблял значительную мощность постоянного тока для обеспечения бесперебойной работы ... К счастью, мощность там не критична.

Фотон

Одно замечание о связи по постоянному току: весь ток возбуждения для верхнего транзистора должен поступать от верхнего резистора смещения (поскольку вы не можете протолкнуть источник этого тока назад через диод). Это требует гораздо меньших значений резисторов, чтобы убедиться, что у вас есть достаточный ток, доступный для управления базой NPN.

Морозное

@trevor действительно хорошее соответствие достигается только тогда, когда части находятся на одном кристалле. Если вам действительно нужно сделать это с дискретными частями, люди, умнее меня, придумали множество хитростей, которые заставляют все это работать, но обычно усилители IC выигрывают.

Мбриг

Вы уверены, что это работает лучше? Посмотрите на выход, когда входная синусоида в базовом соединении находится между 0,7 В и -0,7 В. Вы видите хорошую синусоидальную волну на выходе?

Положите диоды обратно в симуляцию. Посмотрите, как иссякание исходит.

Прочитайте немного об усилителе класса B против класса AB. Обратите внимание на причины, лежащие в основе класса AB.

user125718
источник

Да, я уверен ... вижу это .. i.stack.imgur.com/fiOPb.png

Trevor_G

vs i.stack.imgur.com/n7gOT.png с диодами

Trevor_G

Целью использования диодов для смещения транзистора является стабильность температуры. Вы не должны видеть перекрёстное искажение. Сообщение

user125718

Для усилителя класса AB схема прорисована не совсем правильно. Также измените нагрузку на что-то большее, например 100 КБ. Выходной фильтр 100u и 32 Ом будет сильно искажать сигнал. Целью использования диодов для смещения транзистора является стабильность температуры. Диоды будут действовать как текущее зеркало и компенсируют изменения температуры.

user125718