Я думаю об использовании оптрона 4N25 - у него есть отдельный вывод для базы фототранзистора. Как мне это использовать? Я полагаю, я не могу оставить это плавающим?
Базовый терминал некоторых оптопар фототранзистора подвергается воздействию определенных требований к конструкции, таких как ниже. Если эти требования не существуют, лучше выбрать деталь без базового штифта - последние обычно состоят из 4 или 6 штырьковых деталей, в отличие от (обычно) 8-штырьковых деталей, включающих в себя базовый штифт: как правило, дешевле, требуется меньше места на плата, и меньше маршрутизации тоже.
Ускоренное переключение на задней границе импульсного сигнала : для этого между базой и эмиттером (или землей) подключен резистор, значение которого рассчитывается для каждого конкретного транзистора и требует времени переключения.
Для быстрого и грязного общего значения просто вставьте туда резистор от 220 кОм до 470 кОм.
Устойчивость к импульсным помехам (или снижение) на выходе : требуется, когда входной ток испытывает короткие скачки или резкие посторонние нарастания / падения, например, из-за плохого регулирования мощности. Конденсатор подключен между базой и эмиттером фототранзистора. Это действует как фильтр нижних частот, добавляя некоторое сглаживание к входному сигналу и обходя острые пики. Это, однако, снижает чувствительность сигнала и вводит задержку.
Для быстрого и грязного значения используйте конденсатор емкостью 0,1 нФ, хотя стоит попробовать все более и более низкие емкости, в зависимости от неблагоприятных воздействий, если таковые имеются.
Сопоставление коэффициента передачи тока : эта третья функция применяется, когда несколько оптопар используются параллельно для конструкции. Всегда будет некоторая разница в производительности между деталями, даже от одной партии. Если их соответствие является критическим для приложения, используются различные подходы для обеспечения соответствующего смещения для базы.
Нет быстрого и грязного подхода в этом случае.
В заключение: Нет, базу не следует оставлять плавающей , иначе она будет действовать как антенна, улавливая электромагнитные помехи и накладывая их на выход.
В этом нет большой разницы, чем стандартная конструкция BJT и оптотранзистор. Основание можно оставить плавающим, но это значительно уменьшит скорость выключения, поскольку никакая внутренняя емкость базы не может быть разряжена (поэтому они дали вам прямое подключение к базе. Оптопары не имеют этого подключения).
Улавливание побочных электромагнитных излучений не является большой проблемой для BJT, если только CTR не очень высокий или в критических приложениях. Как правило, вы можете использовать любой оптотранзистор в качестве оптопары. Если вам нужны более высокие скорости, вы должны привязать базу к земле через резистор соответствующего размера, чтобы внутренняя емкость могла разряжаться во времени.
В любом случае, просто относитесь к любому оптотранзистору как к нормальной цепи BJT, но при этом вход на оптопару имеет очень высокий импеданс к базе, когда он выключен (т. Е. Свет = «плавающая» база). Как правило, это означает, что у вас должен быть повышающий или понижающий резистор, чтобы обеспечить относительно низкий путь к земле, чтобы либо предотвратить побочные результаты от ЭМ, либо своевременно разрядить емкость.
источник
Если у вас есть доступ к базе, вы можете использовать переход база-эмиттер в качестве фотодиода; Это быстрее, чем при использовании фототранзистора.
Токовая характеристика передачи также намного более линейна (хотя для аналоговых устройств она не будет приближаться к сервооптопе)
источник
Это также может быть удобно для тестирования, может быть? У вас может быть сторона низковольтного оборудования на вашем стенде, а сторона высокого напряжения действительно недоступна на заводе. Так что щекотайте базу с 5 В вкл / выкл, чтобы имитировать сторону ВН, которая отсутствует в лаборатории.
источник