В чем разница между

Я видел много схем, использующих и взаимозаменяемо. V D $V_{CC}$$V_{DD}$

• Я знаю, что и для положительного напряжения, а и для заземления, но в чем разница между каждым из этих двух? V D D V S S V E $V_{CC}$$V_{DD}$$V_{SS}$$V_{EE}$
  
• Выполните , , и стоять что - то? D S $C$$D$$S$$E$

Для дополнительного кредита: почему а не просто ? V $V_{DD}$$V_D$

Еще в плейстоцене (1960-е или ранее) логика была реализована с помощью биполярных транзисторов. Более конкретно, они были NPN, потому что по некоторым причинам я не собираюсь входить, NPN были быстрее. Тогда кому-то было понятно, что положительное напряжение питания будет называться Vcc, где «c» обозначает коллектор. Иногда (но реже) отрицательный запас называли Ви, где «е» обозначает эмиттер.

Когда появилась логика FET, использовался тот же тип именования, но теперь положительным источником был Vdd (сток) и отрицательный Vss (источник). С CMOS это не имеет смысла, но все равно сохраняется. Обратите внимание, что «C» в CMOS означает «дополнительный». Это означает, что оба устройства канала N и P используются примерно в одинаковом количестве. CMOS-инвертор - это просто P-канал и N-канальный MOSFET в его простейшей форме. При примерно одинаковом количестве устройств каналов N и P утечки не будут более положительными, чем источники, и наоборот. Однако имена Vdd и Vss застряли по историческим причинам. Технически Vcc / Vee для биполярных и Vdd / Vss для полевых транзисторов, но на практике сегодня Vcc и Vdd означают одно и то же, а Vee и Vss означают одно и то же.

Вы уже знаете из других ответов, что для биполярного

Cотносится к коллектору и
Eотносится к излучателю.

Аналогично для CMOS

Dотносится к стоку и
Sотносится к источнику.

Для биполярной логики, такой как TTL, это правильно; даже для двухтактных выходов («тотем-полюс») использовались только NPN-транзисторы, и действительно подключен к коллекторам. Но для CMOS на самом деле неправильно. CMOS намного более симметричен, чем TTL, и хотя источник N-MOSFET подключен к это не так, что подключен к стоку. V D D V S S V D $V_{CC}$
$V_{DD}$$V_{SS}$$V_{DD}$

Из-за симметрии это фактически связано с источником P-MOSFET. Вероятно, это наследство от NMOS, предшественника CMOS, где действительно была стороной стока (с резистором между ними). $V_{DD}$

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 "Буквенные символы для полупроводниковых устройств" (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, заглавная буква V начинается с пунктов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, которые определяют, что v и V являются символами количества, описывающими напряжение; в нижнем регистре это означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре это максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Пункт 1.2 начинает определять индексы для количественных символов. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают значения постоянного тока, а строчные - средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть в верхнем регистре.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Это:

• E, E для эмиттера
• B, B для базы
• C, C для коллекционера
• J, j для терминала универсального полупроводникового устройства
• А, Анод
• K, k для катода
• G, G для ворот
• X, x для общего узла в цепи
• М, м для максимума
• Мин, мин для минимума
• (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V _bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства относительно значения постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

В случае, когда указанный полупроводниковый излучатель напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V _b . Постоянное или среднеквадратичное напряжение на базе равно V _B, а мгновенное напряжение на базе равно v _b .

Теперь о дополнительном кредите: почему V _CC вместо V _C или V _DD вместо V _D ? Раньше я думал, что это словосочетание от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

Таким образом, V _CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V _CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Прежде всего, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; чтение V _CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же устройства абсолютно нулевое, поэтому нет смысла описывать его. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства до базы 2 устройства записывается как V _B1-B2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание - это интересно) записывается как V _1B-2B .

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. _{("Whoah" ожидается здесь.)}

Действительно, в CMOS положительные и отрицательные шины подключены к источникам каналов N и P - это практически невозможно сделать другим способом - пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных затворах, и я даже не хочу думать о защитных структурах ... так что я могу только предложить это: Мы привыкли видеть V _DD в схемах NMOS (Greetz к @supercat, верхний рельс резистор является действительно обычно транзистором - для тех, кто заинтересован, пожалуйста , см отличной 1983 книги " Введение в MOS LSI Design »), и V _SS одинакова как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы смешно использовать любые другие термины, кроме V _DD и V _SS (или V _GND) в наших таблицах. Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они не заинтересованы в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже идея попытки представить что-то вроде V _{SS POSITIVE} или V _{SS NEGATIVE} была бы совершенно нелепой и контрпродуктивной.

Поэтому я должен сказать, что просто общепризнанно, что V _CC - это напряжение питания биполярной цепи, а V _DD - это напряжение питания МОП-цепи, и это происходит из истории. Аналогично, V _EE - это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной цепи, а V _SS - это отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

Почему V _DD, а не просто V _D ?

Условное обозначение букв V _AB для напряжения означает потенциал между A и B. Напряжение - это потенциал, измеренный относительно другой точки цепи. Например, V _BE - это напряжение между базой и эмиттером. Основание не имеет конкретной «буквы». Таким образом, для обозначения точки относительно земли используется соглашение о повторяющихся буквах, например, V _DD или V _EE . Использование в этом контексте отдельных букв добавляет больше путаницы, поскольку Vs могут относиться к напряжению источника "s" (которое может отличаться от напряжения V _SS, если имеется несколько источников последовательно и т. Д.), А не к напряжению между эмиттером транзистора. земля.

Даже без транзисторов в цепи, напряжения можно отнести к стилю V _AB или V _12, чтобы отразить потенциал между A и B или точкой 1 и точкой 2. Очевидно, что порядок важен, так как для двух точек в схеме A и B, V _BA = -V _AB .

Библиографическая ссылка: «Если повторяется одна и та же буква, это означает напряжение источника питания: Vcc - (положительное) напряжение источника питания, связанное с коллектором, а Vee - (отрицательное) напряжение источника питания, связанное с эмиттером». Текст аннотации от Пола Горовица и Уинфилда Хилла (1989), Искусство электроники (второе издание), издательство Кембриджского университета, ISBN 978-0-521-37095-0. Глава 2 - Транзисторы, стр. 62, Введение.

Vdd обычно используется для устройств CMOS, NMOS и PMOS. Он обозначает напряжение (при) утечке. В некоторых устройствах PMOS это отрицательно, но чистые чипы PMOS редко (если вообще когда-либо) встречаются сегодня. Обычно это самое положительное напряжение, но не всегда, например, контроллер двигателя может иметь Vs-контакт для напряжения двигателя, или процессор может использовать напряжение ядра и напряжение ввода-вывода. Vss обозначает источник напряжения (в); Устройства PMOS могут быть положительными, но опять же, PMOS - это реликт, поэтому для всех намерений и целей это самое доступное отрицательное напряжение. Он часто привязан к подложке, поэтому он должен быть самым отрицательным, иначе чип не будет работать должным образом.

Vcc обозначает коллектор напряжения (at) и в основном используется для биполярных устройств, хотя я видел, что он используется с CMOS-устройствами, вероятно, из-за соглашения. Ви означает напряжение (на) эмиттера и обычно является наиболее отрицательным.

Я также видел Vs + и Vs-, а также V + и V-, но V + / V- можно перепутать с входными выводами на операционных усилителях / компараторах и других усилителях.

То, что они сказали, большую часть времени, но все еще бывают случаи, когда различия реальны и / или полезны:

Существует небольшая доля устройств, которые используют несколько источников питания относительно земли, и в некоторых из них может иметь смысл использовать, например, Vee gnd или Vss. В других случаях может быть несколько источников или оснований, которые имеют один и тот же потенциал, но разделены по системным причинам. например

• Микросхема процессора может иметь аналоговое и цифровое питание. Их можно назвать, например, Vccd и Vcca. Точно так же вы можете получить Vssa и Vssd.

• Логика ECL сорта Olde имела 2 запаса плюс земля. Ви был отрицательным по отношению к земле.

• Микросхемы преобразования уровня (или те, которые МОГУТ использоваться в этом режиме), такие как CD4051 - см. Таблицу данных здесь, достаточно разную и достаточно образовательную, чтобы ее можно было цитировать: .................. .... Аналоговые мультиплексоры CD4051B, CD4052B и CD4053B - это аналоговые переключатели с цифровым управлением, имеющие низкий импеданс ВКЛ и очень низкий ток утечки ВЫКЛ. Управление аналоговыми сигналами до 20VP-P может быть достигнуто с помощью амплитуд цифрового сигнала от 4,5 В до 20 В (если VDD-VSS = 3 В, можно управлять VDD-VEE до 13 В; для разностей уровней VDD-VEE выше 13 В, требуется VDD-VSS не менее 4,5 В). Например, если VDD = + 4,5 В, VSS = 0 В и VEE = -13,5 В, аналоговые сигналы от -13,5 В до + 4,5 В могут управляться цифровыми входами от 0 В до 5 В.

• Вентили, такие как CD4049 / CD4050, выглядят как стандартные инверторы или буферы, но допускают входные сигналы выше Vcc, так что можно осуществлять сдвиг уровня. Микросхема имеет только сигналы Vcc и Vss ( на контактах 1 и 8 на 16-контактной ИС !!! ), но входной сигнал переключается между Vss и "Vigh" = Vinhigh. В системе, которая используется в Vih, вероятно, будет называться Vdd или другое имя, чтобы отличать его от Vcc. Технические данные CD4049 / CD4050:

• Есть некоторые ворота, которые позволяют преобразование уровня другим способом. Это могут быть ворота с открытым коллектором, такие как LM339 (четырехъядерный) / LM393 (сдвоенный) с действительно странными распиновками мира Ye Olde LM339 или водители специализированных автобусов или другие. В корпусе LM339 блок питания (контакт 3 = Vcc, контакт 12 = gnd в 14-контактной микросхеме) имеет удобные названия, но работает от напряжения всего 2 В, чрезвычайно интересные выводы и работа с открытым коллектором дают понять, что это возвраты из до начала времен - но все еще очень полезный.

$V_{CC}$$V_{C}$$V_{CC}$$V_C$$V_{CC}$$V_C$

Буквами обозначены детали транзистора: исток, сток, затвор, коллектор, эмиттер, база.

$V_{BE}$$V_{CC}$

Давайте придумаем обоснование.

$V_{XY}$обозначение, обозначающее напряжение между двумя точками. Если C повторяется, то мы знаем, что это не может быть бесполезным обозначением напряжения от C до C, что напоминает нам, что обозначение имеет другое значение. Если второй символ идет к глифу, то это должно быть что-то иное, чем +или -потому что они выглядят как полярности.

$V_{C@}$$V_{CC}$

Ясно, что можно утверждать, что был трезвым, продуманным выбором, чтобы выразить то, что хотел выразить изобретатель нотации, что завоевало популярность.$V_{CC}$

Я видел много схем, использующих VCC и VDD взаимозаменяемо

На самом деле это намного хуже. Во многих библиотеках компонентов схемы захвата контакты напряжения питания иногда скрыты в (некоторых) символах компонента. Нередко скачивают библиотеки компонентов, где некоторые компоненты имеют скрытую сеть «VCC» или «GND», подключенную к контактам напряжения питания. В других компонентах скрытые сети могут называться другими именами. Не очень забавная вещь в том, что если у вас нет схемы с таким именем в вашей схеме, и вы не обращаете внимание на сообщения DRC от редактора схемы, вы можете получить напряжение питания и / или контакты заземления вообще не подключены к вашей плате.

Я добавил это как отдельный ответ, чтобы избежать путаницы. Пожалуйста, поправьте меня, если я ошибаюсь.