Какое влияние оказывает стерилизация гамма-излучением на встроенные электронные устройства?

Мы только что вернули 3 единицы оборудования, которые могли быть случайно подвергнуты процессу стерилизации гамма-излучением. Оборудование представляет собой встроенное устройство с низким энергопотреблением, состоящее из 16-разрядного микроконтроллера с периферийной флэш-памятью и SRAM, поддерживаемых литиевой батареей. Оборудование кажется полностью мертвым.

Какое возможное влияние гамма-излучения на встроенные устройства? Повреждение флэш-памяти? Деградация цепи? Отказ компонента?

Больше информации:

Оборудование состоит из трех нефелометрических инструментов, которые мы производим, которые используют довольно дорогой регистратор COTS в качестве мозга. Инструменты были отправлены к нам из-за рубежа вместе с некоторыми образцами отложений. Таможня / карантин решили, что они хотят стерилизовать образцы осадка, и я думаю, что они, должно быть, также прошли через инструменты.

Прогноз, вероятно, не слишком внезапный [стон].

В зависимости от энергии излучения, гибель устройства варьируется от возможной до практически определенной.

Вы можете ожидать все эффекты, которые вы описали.
Даже если, очевидно, все еще работает, вы можете получить повышенные токи утечки и «общее несчастье».

Каков был источник гаммы? какая энергия ?, какое расстояние? Почему?

Радиационные повреждения в электронных устройствах памяти PDF
HTML
говорит:

... Полученные результаты показывают, что гамма-излучение вызывает снижение порогового напряжения, пропорциональное поглощенной дозе излучения.

EPROM & EEPROM: ... Гамма-излучение вызывает генерацию электронно-дырочных пар в SiO2-изоляторе затвора. Количество генерируемых пар прямо пропорционально энергии, выделяемой в материале, в зависимости от суммарной поглощенной дозы излучения [8, 14]. ...

Заключение

... Основываясь на анализе данных, полученных в результате проведенных экспериментов, воздействие гамма-излучения на полупроводниковые запоминающие устройства вызывает три эффекта: дырки захватываются в местах захвата оксида, инжекция дырок из оксида в FG и эмиссия электронов через FG- оксидный интерфейс.

Генерация электронно-дырочных пар приводит к захвату положительно заряженных носителей (дырок) в изоляторе, что вызывает отрицательный сдвиг в характеристиках. А именно, носители с положительным зарядом, индуцированные гамма-излучением, требуют увеличения отрицательного напряжения на затворе для компенсации положительного заряда. Это означает, что гамма-излучение вызывает снижение порогового напряжения, пропорциональное поглощенной дозе излучения.

НАСА - Чипсы в космосе